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据报道，三星电子成功研发出一种新型气体，可替代半导体蚀刻工艺中使用的三氟甲烷（CHF₃）。研发该替代气体的目的，是在确保适配半导体生产工艺的同时，实现比三氟甲烷更低的温室气体排放，从而加速推进 “碳中和” 目标的达成。

三星电子DS部门推出了与日本气体制造企业大金工业联合研发的新型气体G2，该气体可以用于半导体蚀刻工艺。

此前，三氟甲烷被应用于半导体制造的蚀刻工序，这一工序通过化学方式去除晶圆表面的多余部分，以形成所需的电路图案。三氟甲烷是半导体生产中不可或缺的材料，但其温室气体排放强度极高。根据联合国政府间气候变化专门委员会（IPCC）第六次评估报告（AR6）的数据，三氟甲烷的全球变暖潜能值（GWP）高达 11700，这意味着其引发全球变暖的效应是二氧化碳（CO₂）的 11700 倍。而新型气体 G2 的全球变暖潜能值，较三氟甲烷降低了约 90%。

除 G2 外，三星电子DS部门还在持续研发其他高温室气体排放蚀刻气体的替代品。其中，针对全球变暖潜能值为 10200 的八氟环丁烷（C₄F₈）的替代气体 G1，已于 2018 年投入工艺应用；针对全球变暖潜能值为7380的四氟化碳（CF₄）的替代气体 G3，也于今年正式导入生产线，该气体的全球变暖潜能值较四氟化碳实现了 100% 降低。

为研发这些替代气体，三星电子与合作企业联合开展了多种候选物质的评估与分析工作。通过材料企业评估→设备企业评估→三星电子研发实验室导入评估→量产线验证评估等一系列流程，最终筛选出合格的替代气体并投入实际生产。

三星电子DS部门启动半导体蚀刻替代气体的研发项目，钢绞线核心目的是减少企业温室气体排放，强化环境、社会和治理（ESG）管理体系。Scope 1 Emissions，指企业拥有、控制或运营的资产所直接产生的温室气体排放，在这个领域，三星电子约 70% 来自半导体生产工艺气体。

2022 年，三星电子DS部门发布全新环境管理战略，提出将于 2025 年实现碳中和（温室气体净排放量为零）的目标。为达成这一目标，除推广替代气体外，三星电子还研发出半导体行业首套大容量工艺气体综合处理设备RCS。去年，三星电子在某条生产线新增 4 台 RCS 设备，截至目前，投入运行的 RCS 设备总数已达 52 台。三星电子相关负责人表示：“公司研发出第三代催化剂并完成现场应用验证，经测试，该催化剂对全氟化碳（PFCs）的处理效率最高可达 97%。”

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三星电子计划通过与合作方开展多元化合作，持续推进Scope 2 Emissions间接温室气体排放的削减工作。三星电子曾表示，“我们不会将自主研发的替代气体局限于自有生产线使用，还将向整个半导体行业开放相关技术。” 而这一举动也将助力减少全球半导体行业工艺气体的碳排放总量。

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