三星电子正加快进下代带宽内存布局。在HBM4本年慎重参加量产的同期，三星已将眼力投向远代居品——野心将HBM5基片工艺从4纳米普及至2纳米，并以1d DRAM行动HBM5E的中枢堆叠存储。与此同期德阳锚索钢绞线，HBM4将占据本年三星HBM总出货量的逾半数，全体HBM产能较前年增长过三倍。

据ETNews和韩联社报谈，三星电子内存开采负责东谈主、总裁Hwang Sang-jun在英伟达GTC大会上泄漏了上述测度。他暗意，HBM5的基片（base die）将接收三星晶圆代工的2纳米工艺，较HBM4及HBM4E所用的4纳米工艺已毕跨代升，以得志下代AI责任负载对内存能的要求。

在产能想法面，Hwang Sang-jun暗意，三星野心本年HBM4在一谈HBM出货中的占比过50，同期全体HBM产量较前年普及逾三倍。这表态自大出三星在AI存储市集的膨胀决心，对端DRAM供应步地及卑劣AI加快器供应链具有径直影响。

除存储门道图外，Hwang Sang-jun还裸露，理芯片Groq 3正在三星平泽园区出产，量产想法定于本年三季度末至四季度初，订单量已出预期。三星由此从单纯的内存供应商向AI加快器全栈作伙伴向上延迟。

HBM5基片工艺：从4纳米跃升至2纳米

据ETNews报谈，Hwang Sang-jun在英伟达GTC上明确暗意，HBM5的基片将接收三星晶圆代工的2纳米工艺，较HBM4及HBM4E所使用的4纳米工艺已毕遑急升。基片工艺的普及每每有助于内存带宽与能阐明。

Hwang Sang-jun指出，接收前沿制程虽会带来本钱飞腾德阳锚索钢绞线，但为达成HBM的想法能，引入工艺不成避。这表态明确了三星在端AI存储域以工艺升运行能跃迁的时间旅途。

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在HBM5E层面，据ETNews报谈，Hwang Sang-jun暗意该居品将以1d DRAM行动中枢堆叠存储，相较于HBM4及HBM4E所接收的1c DRAM再度升。

用于HBM5E的1d DRAM当今仍处于三星里面研发阶段，尚未营业化。不外，据ETNews征引知情东谈主士称，三星已在该时间上赢得较强的能阐明与测试良率，自大出向量产进的积信号。

HBM4本年主出货，产能较前年增逾三倍

据韩联社报谈，锚索Hwang Sang-jun暗意，三星本年的想法是使HBM4在一谈HBM出货中的占比过50，同期全年HBM产量较前年普及过三倍。

HBM4本年才慎重参加量产阶段。三星野心在动领域化量产的同期，大幅推论全体HBM产能，以匹配AI芯片市集对带宽内存捏续攀升的需求。上述产能膨胀野心若得以落实，将对端DRAM市集的供应步地产生内容影响。

Groq 3代工：三星扩大在英伟达生态系统中的角

在存储业务以外，三星正通过代工Groq 3理芯片向上扩展在AI加快器产业链中的定位。

据韩联社报谈，Hwang Sang-jun暗意，英伟达CEO Jensen Huang已公开认同三星在Groq 3上的孝敬，该芯片正在三星平泽园区出产，量产想法为本年三季度末至四季度初，刻下订单量已出预期。

据韩联社报谈，Groq 3芯片裸单方面积过700平毫米，每片晶圆仅可切出约64颗芯片，远低于每每的400至600颗。该芯片约70至80的面积由SRAM组成，可在片上完成快速理运算，需依赖外部HBM。Hwang Sang-jun还裸露，Groq早在与英伟达签署许可契约之前，便已是三星晶圆代工的客户。

据SEDaily报谈，三星代工Groq 3 LPU芯片被市集平庸视为其成为下代AI加快器全栈平台中枢作伙伴的遑急美艳。在三星晶圆代工部门参加英伟达供应链之后，三星的角已从此前单纯供应内存，延迟至LPU制造域，与英伟达生态系统的作度向上扩展。

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